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            如何通过栅极驱动技术实现SiC性能的最大化

            电子设计 ? 2021-02-20 15:18 ? 次阅读

            电动汽车革命即将来临。汽车公司拼命地寻求技术优势,驱动电动汽车的电力电子设备正在迅速发展。诸如碳化硅(SiC)之类的宽禁带FET技术有望显着提高效率,减轻系统重量并减小电池体积。在汽车设计中,SiC兑现了这些承诺,并推动了下一代电动汽车的创新。

            SiC和其他宽禁带器件的基本优势源于它们的带隙,价带顶部和导带底部之间的能量差。电子从低能价带移动到高能导带使材料导电。将电子从价带移动到导带需要1.1eV。另一方面,SiC具有3.2eV的带隙,因此将电子移动到SiC导带需要更多的能量。对于给定的芯片尺寸,这意味着比硅器件更高的击穿电压。实际上,SiC芯片的优势更像是为电动汽车量身定制的,例如尺寸更小、更低的导通电阻(RDSON)和更快的开关速度等。

            电动汽车的三个主要限制是充电时间,续航里程和成本。将逆变器电路的高压部分(称为DC链路)升压至800V或至1,000V可以降低电流,从而使电缆和磁性件的重量更轻。更高的电压要求开关器件具有更高的击穿电压,通常高达1200V。对于标准的硅MOSFET,将击穿电压缩放到该水平并保持高电流是不切实际的,因为必需的管芯尺寸变得更大。双极硅器件(主要是绝缘双极栅晶体管(IGBT))可以解决此问题,但会牺牲开关速度并限制功率转换效率。SiC的宽带隙允许单极FET器件(具有显着较小的裸片尺寸)表现出与传统IGBT相同的击穿电压和额定电流。此特性为电源转换系统带来了数项改进,同时允许更高的直流母线电压并减轻了车辆的重量。

            为了提高电动汽车的续航里程,要么必须增加电池容量,要么必须提高车辆的效率。通常,提高电池容量会增加成本,尺寸和重量,因此设计人员将精力集中在提高车辆电源转换系统的效率上。使用正确的开关设备,设计人员可以提高电源开关频率,以提高效率,同时减小磁性元件的尺寸,从而降低成本和重量。此外,高效转换器需要更少的散热和冷却系统。

            SiCFET自然会适应这些高开关频率,因为它们在每个充电/放电周期中消耗的能量很少。此外,SiC的材料特性与较小的裸片尺寸相结合,可以在较高温度下运行,而损耗比IGBT低。

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            CreeWolfspeedE3M0065090D汽车SiCFET的RDSON如何随温度变化

            与IGBT不同,SiCFET具有RDSON规范,并且额定RDSON随温度变化很小。该概念对于大功率电动汽车应用至关重要,在这些应用中,开关设备可处理千瓦的功率并经常达到高温。此外,IGBT通常针对最大电流进行了优化。在小于最大负载时,它们的传导损耗急剧增加。但是,SiCFET在低负载下仍保持其效率。这种行为在汽车中尤其有用,在汽车中,诸如牵引逆变器之类的系统会长期在不同的负载下运行。

            SiCFET的所有这些改进共同带来了更高的效率,更小的电池,更低的成本,从而设计出更强大的电动汽车。但是,采用SiC技术要求设计人员学习新技术,并且一些最重要的技术都集中在栅极驱动器上。

            具有较小芯片尺寸和较高开关频率的SiCFET需要略微不同的栅极驱动技术。较小的裸片尺寸使SiCFET更容易受到损坏,而较高的频率则需要具有更高性能的栅极驱动器。最后,SiCFET在截止状态下通常需要较高的栅极驱动信号和负栅极电压。最新的隔离式栅极驱动器集成了满足所有这些要求所需的功能。

            许多高压汽车系统使用隔离设备(例如隔离的栅极驱动器)将低压控制器与系统的高压部分分开。大多数SiCFET设计中使用的高开关频率会使隔离的栅极驱动器遭受快速瞬变的影响。具有至少100kV/μsec的共模瞬变抗扰度(CMTI)的栅极驱动器可以承受这些瞬变。此外,驱动器的传播延迟和通道间偏斜通常必须低于10ns,才能使设计在如此高速下保持稳定。随着汽车系统将直流链路电压提高,隔离式栅极驱动器还必须具有足够的最大绝缘工作电压(VIORM)。由于技术的进步,设计人员可以简单地选择满足SiCFET系统需求的隔离式栅极驱动器。

            许多新的隔离式栅极驱动器,例如SiliconLabsSi828x,还包括集成的Miller钳位和去饱和检测,以?;iC器件。在半桥或全桥配置中,桥下半部分的开关器件在上部器件导通时,漏极上的电压会快速变化。这种变化会在栅极中感应出电流,以耗尽寄生电容,否则该寄生电容会通过栅极放电并导通下部器件。这种“米勒寄生开启”会导致击穿现象,这将迅速损坏SiC器件。

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            SiliconLabsSi828x隔离式栅极驱动器上的集成米勒钳位。

            当集成的米勒钳位达到预设阈值时,它会形成栅极到漏极的寄生电容。此外,异常负载情况可能导致开关设备跌落到饱和状态并受损。但是,SiliconLabsSi828x栅极驱动器中集成了一个去饱和电路。如果开关设备上的电压上升到配置的阈值以上,则栅极驱动器会迅速做出响应并正常关闭它。它使用软关断电路来限制开关设备上的感应关断电压。

            对于SiCFET,?;さ缏?/u>必须快速反应(通常在1.8微秒以下)才能生效。通过将这三个功能集成到栅极驱动器中,设计鲁棒,可靠的SiC功率转换器会变得简单。

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            SiliconLabsSi828x隔离式栅极驱动器上的集成去饱和电路。

            总而言之,SiC开关提供前所未有的更快开关速度,更高效率和更高功率密度。此外,高击穿电压和热特性是电动汽车动力系统的基础需求。这些优势,加上隔离式栅极驱动器的改进功能,使其成为电气化革命中的核心技术。
            编辑:hfy

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            富士康终于有勇气瞄准了整车。 2月20日,富士康母公司鸿海集团董事长刘扬伟在台北总部接受采访时表示,....
            的头像 璟琰乀 发表于 02-24 15:35 ? 208次 阅读
            富士康终于有勇气瞄准了整车

            现代电动汽车专属品牌IONIQ旗下首款量产车型亮相

            又一家传统汽车巨头,正式从“油改电”时代步入电动平台时代。 2月23日,现代汽车纯电动中型CUV I....
            的头像 璟琰乀 发表于 02-24 15:26 ? 265次 阅读
            现代电动汽车专属品牌IONIQ旗下首款量产车型亮相

            小米下场造车,风险与机遇并存

            随着百度、阿里、华为、苹果等科技公司在汽车领域的活跃度越来越高,有关小米的造车传言也再度被送上热搜。
            的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 15:03 ? 261次 阅读
            小米下场造车,风险与机遇并存

            机构预计特斯拉今年所交付电动汽车Model 3和Model Y所占的比重超90%

            2月24日消息,据国外媒体报道,Model 3及Model Y是特斯拉旗下目前售价稍低的两款电动汽车....
            的头像 工程师邓生 发表于 02-24 14:52 ? 279次 阅读
            机构预计特斯拉今年所交付电动汽车Model 3和Model Y所占的比重超90%

            高通称将为通用汽车公司单独提供车用芯片

            据报道,富士康董事长刘扬伟周六接受采访时表示,搭载该公司开放软硬件平台制造的首批电动汽车将于今年年底....
            的头像 lhl545545 发表于 02-24 14:49 ? 293次 阅读
            高通称将为通用汽车公司单独提供车用芯片

            腾讯也要造车?两项专利技术公开

            据天眼查显示,腾讯科技(深圳)有限公司在2月23日公开两项专利技术,分别是“车辆驾驶的仿真方法和装置....
            的头像 璟琰乀 发表于 02-24 14:08 ? 183次 阅读
            腾讯也要造车?两项专利技术公开

            电动汽车公司 Lucid Motors证实 :目前正考虑在中国建厂的可能性

            据证券时报,特斯拉美国最大的竞争对手——电动汽车公司 Lucid Motors 证实,目前正考虑在中....
            的头像 工程师邓生 发表于 02-24 14:05 ? 260次 阅读
            电动汽车公司 Lucid Motors证实 :目前正考虑在中国建厂的可能性

            QuantumScape公司固态电池出现突破?

            QuantumScape是一家锂金属电池创业公司,11月股市开始交易的第一天,它的股价大涨57%。1....
            的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 13:33 ? 176次 阅读
            QuantumScape公司固态电池出现突破?

            常见问题解答:MOS和IGBT的区别是什么

            到底什么是 IGBT? IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极 型晶体管,是由晶体三极管和 MO...
            发表于 02-24 10:33 ? 101次 阅读
            常见问题解答:MOS和IGBT的区别是什么

            IGBT有哪些动态参数?

              重要的动态参数包括:栅极电阻(内部+外部)、栅极电容、寄生电容、充电电荷、开关时间等,其中,开关时间是开关特性的表征。...
            发表于 02-23 16:33 ? 29次 阅读
            IGBT有哪些动态参数?

            电气隔离在电动汽车中有哪些应用

            电气隔离在电动汽车中的应用
            发表于 02-04 08:01 ? 0次 阅读
            电气隔离在电动汽车中有哪些应用

            各位大神,驱动??橹星酒虸GBT中间为啥要增加隔离单通道升压器啊

            [table] [tr][td] [/td][td] 各位大神,驱动??橹星酒虸GBT中间为啥要增加隔离单通道升压器啊[/td][/tr] [/table]...
            发表于 01-27 21:31 ? 3785次 阅读
            各位大神,驱动??橹星酒虸GBT中间为啥要增加隔离单通道升压器啊

            怎么实现大规模电动汽车的生产

            大规模电动汽车生产需要先进的电池化成和测试系统 ...
            发表于 01-27 06:59 ? 0次 阅读
            怎么实现大规模电动汽车的生产

            虚拟化在汽车设计中的重要性

            虚拟化为什么在汽车设计中变得至关重要? ...
            发表于 01-26 07:50 ? 0次 阅读
            虚拟化在汽车设计中的重要性

            纯电动汽车续航掉电快是为什么

            凛冬已至,随着气温逐渐降低到零下,电动汽车在冬季的行驶能耗不断上升,直接导致掉电极快。此前中汽研发布的一组数据显示,当室...
            发表于 01-22 06:51 ? 0次 阅读
            纯电动汽车续航掉电快是为什么

            IGBT的基础知识/主要参数/驱动电路

              IGBT——绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顾名思义,是由 BJT(双极结型晶体三极管)...
            发表于 01-20 16:16 ? 3696次 阅读
            IGBT的基础知识/主要参数/驱动电路

            FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压???/a>

            一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
            发表于 07-31 04:02 ? 110次 阅读
            FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压??? />    </a>
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            NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

            65L4BT是一款PFCSPM?2???,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些??榧闪四谥肐GBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种??槟诒;すδ?,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些??榛咕哂腥ㄕ髌骱透咝阅苁涑鯯iC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和?;さ慕淮硎絇FC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 04:02 ? 111次 阅读
            NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

            NFCS1060L3TT 智能功率??椋↖PM) PFC组合 600V 10A

            60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导?;? 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动??? 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 04:02 ? 74次 阅读
            NFCS1060L3TT 智能功率??椋↖PM) PFC组合 600V 10A

            NFAP1060L3TT 智能功率??椋↖PM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

            60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的?;すδ?,包括跨导?;?,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流?;さ缏返哪诓勘冉掀骱筒慰嫉缪乖市砩杓迫嗽鄙柚霉鞅;さ缙?。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压?;? 交叉传导?;? 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 03:02 ? 75次 阅读
            NFAP1060L3TT 智能功率??椋↖PM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

            NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

            4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导?;さ亩懒⑹淙?。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导?;? 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 01:02 ? 178次 阅读
            NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

            NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

            1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 01:02 ? 115次 阅读
            NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

            MC33153 单IGBT驱动器

            3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和??镮GBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ㄑ≡袢ケズ突蚬骷觳夂颓费辜觳?。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的?;さ缏? 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 01:02 ? 597次 阅读
            MC33153 单IGBT驱动器

            NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

            6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导?;せ莌 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 00:02 ? 320次 阅读
            NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

            FL73282 半桥栅极驱动器

            2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-31 00:02 ? 495次 阅读
            FL73282 半桥栅极驱动器

            NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

            3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ˋctive Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT?;ず吐┘饭收鲜涑?。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT?;? 增强的可编程?;? 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 22:02 ? 131次 阅读
            NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

            NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

            2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ㄓ性疵桌涨?,精确的UVLO,EN输入,DESAT?;ず吐┘饭收鲜涑?。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT?;? 增强的可编程?;? 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 22:02 ? 126次 阅读
            NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

            NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

            低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流??焖倩仿废煊偷脱共钍垢梦妊蛊鞣浅J视糜诘偷缪购土己酶涸厮蔡煊Ψ浅V匾挠τ?。器件?;ぐǖ缌飨拗?,短路?;ず腿裙囟?。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
            发表于 07-30 08:02 ? 53次 阅读
            NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

            NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

            4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 04:02 ? 284次 阅读
            NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

            NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

            3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压??傻鞯缌飨拗圃市砥骷糜诙喔龅缌魉?。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压?;ず颓费沟缪贡;? 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
            发表于 07-30 04:02 ? 274次 阅读
            NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

            NCP3231A 高电流同步降压转换器

            1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压?;? 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热?;? 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热?;? 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 04:02 ? 196次 阅读
            NCP3231A 高电流同步降压转换器

            NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

            1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压?;? 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热?;? 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热?;? 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 04:02 ? 109次 阅读
            NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

            NCP3231 高电流同步降压转换器

            1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压?;ず颓费贡;? 使用热敏电阻或传感器进行系统过热?;? 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热?;? 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 03:02 ? 142次 阅读
            NCP3231 高电流同步降压转换器

            NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

            2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 03:02 ? 103次 阅读
            NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

            NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

            C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流?;? 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 03:02 ? 88次 阅读
            NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

            NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

            5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
            发表于 07-30 03:02 ? 93次 阅读
            NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器
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